上海某某半导体有限公司激光晶体技术改造和单晶硅生长炉研制申请报告及节能评估项目签约

　　大尺寸YAG激光晶体技术改造项目，位于松江区石湖荡镇，规划建设总用地面积为16,135平方米，总建筑面积为3,000平方米。项目一旦完成，将可以有效的解决中国YAG晶体生长的问题，推动我国激光晶体行业发展。尤其是对于我市激光行业的发展起到重要的促进作用，目前国内YAG激光晶体主要集中在成都、福州、武汉等地，上海却未见规模化生产YAG晶体的企业，主要是部分科研院校。
　　根据国家和上海市有关建筑合理用能的标准，结合本项目种类建筑的性质、功能用途和使用条件，经综合计算，年用能规模为水0.02万立方米、电力203.56万千瓦时，节能效果理想。各种能源折标准煤系数，电力按3.0（吨标准煤/万千瓦时）折标系数，新水按0.86（吨标准煤/万立方米）折标系数，项目折算年综合能耗为610.71吨标煤。
　　极大规模集成电路用单晶硅晶体生长炉研制项目，规划建设用地总面积为1,000平方米，总建筑面积为3,000平方米。项目主要用于研制极大规模集成电路用单晶硅晶体生长炉，用于生长制造8-12英寸单晶硅片的晶体生长炉, 通过自主研发，掌握极大规模集成电路用单晶硅晶体生长炉制造的自有知识产权, 建设极大规模集成电路用单晶硅晶体生长炉制造生产线等。经综合计算，年用能规模为水0.02万立方米、电力39.75万千瓦时，节能效果理想。各种能源折标准煤系数，电力按3（吨标准煤/万千瓦时）折标系数，新水按0.86（吨标准煤/万立方米）折标系数，项目折算年综合能耗为119.27吨标煤。